3D NAND即三維閃存技術(shù)。過去的存儲芯片是平面的，我們可以把它想象為一個“地面停車場”。三維閃存芯片是立體的，更像是“立體停車場”。這意味著，同樣的“占地面積”，立體芯片能夠容納的數(shù)據(jù)量更多，可以達到驚人的1.33Tb。
長江存儲科技有限責(zé)任公司日前宣布，最新128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗證。
3D NAND即三維閃存技術(shù)。“過去的存儲芯片是平面的，我們可以把它想象為一個‘地面停車場’。三維閃存芯片是立體的，更像是‘立體停車場’。這意味著，同樣的‘占地面積’，立體芯片能夠容納的數(shù)據(jù)量更多。”專家表示。
盡管這顆存儲芯片只有芝麻粒大小，卻內(nèi)藏乾坤。它擁有3665億個“細胞”——存儲單元。QLC是繼TLC后三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點。TLC的每個“存儲細胞”可存儲3bit數(shù)據(jù)，QLC的每個“細胞”能存儲4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲細胞”加起來，能讓一顆芯片的存儲容量達到驚人的1.33TB，相當(dāng)于1362GB。
得益于“存儲細胞”不斷擴容以及這些“細胞”之間獨特的Xtacking架構(gòu)布局，此次發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”擁有業(yè)界最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量。
2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月份，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級至2.0，進一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔了7個月，即便發(fā)生了疫情也沒有阻擋我們的研發(fā)腳步。”長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧表示，作為閃存行業(yè)的“新進入者”，長江存儲用短短3年便將中國的三維存儲芯片推向了128層的新高度。“這是數(shù)千名研發(fā)人員智慧的結(jié)晶，也是全產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。”
閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域市場研究公司認為，QLC技術(shù)降低了NAND閃存單位字節(jié)的成本，更適合作為大容量存儲介質(zhì)。128層QLC閃存將率先在大容量U盤、閃存卡和固態(tài)硬盤中普及，廣泛用于AI計算、機器學(xué)習(xí)、實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。
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